国家/地区 韩国（97）
IPC部 H（76） C（44） B（25）
G（12）
IPC大类 H01（75） C01（33） C23（17）
B82（12） B01（8） G03（7）
C09（5） C08（4） B23（3）
C25（3） H05（3） H10（3）
B29（2） C07（2） G01（2）
IPC小类 H01L（56） C01B（33） C23C（17）
H01M（12） B82Y（8） G03F（7）
B82B（4） C08K（4） H01B（4）
H01J（4） B01D（3） B01F（3）
B23K（3） C09K（3） C25D（3）
IPC H01L029/16（26） H01L021/02（21） H01L029/78（16）
H01L029/66（15） H01L029/786（14） C23C016/26（13）
C01B032/186（12） H01L021/336（12） H01L021/768（11）
H01L029/06（11） H01L021/285（10） H01L029/417（9）
H01M004/62（9） C01B031/02（8） C01B031/04（8）
发明人 LEE C（97）
公开年 2022（18） 2023（14） 2015（12） 2021（11） 2013（10） 2014（10） 2020（8） 2017（5） 2016（4） 2012（2）
申请年 2021（16）  2022（15）  2014（12）  2013（10）  2020（10）  2019（9）  2015（8）  2011（6）  2016（5）  2012（4） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（54） LG ENERGY SO.（8） DONG JIN SEM.（5） S S TECH CO.（5）
UNIV SUNGKYU.（5） LEE C（4） UNIST ULSAN .（4） LEE J（3）
SNU R DB FO.（3） UNIV SEOUL N.（3） ELECTRONICS .（2） KUMOH NAT IN.（2）
KUMOH NAT IN.（2） LG ELECTRONI.（2） SHIN H（2） SNU R DB FOU.（2）

Complex of heterogeneous two-dimensional materials used in electronic device, comprises substrate, first two-dimensional material layer having two-dimensional crystal structure on substrate, and second two-dimension material layer.

SEOL M, SHIN H, BYUN K, HWANG H, LEE C, KIM H, SUK S H, BYUN K E, HWANGHYUNTAE, LEE C S, KIM H J, JIN J, LI C

Anode for lithium-sulfur battery, has current collector; and anode active material layer formed on surface of current collector and containing anode active material and additive including reduced graphene oxide and niobium-tungsten oxide.

JO H A, YANG S, LEE C

Nonvolatile memory device for neuromorphic apparatus, has gate insulating layer extending in first direction between channel layer and gate electrodes, where each of gate electrodes includes metal-doped graphene.

SHIN K, KIM C, PARK S, KIM H, BYUN K, YUN D, LEE C, LI C, YIN T, PIAO S, JIN C, SHIN K W, PARK S H, KIMHYUNWOO, BYUN K E, JIN Y D, LEE C S

Sulfur-carbon composite useful as cathode for lithium-sulfur battery for portable electronic devices and electric vehicles comprise porous carbon materials, and sulfur on interior and surface of porous carbon material.

KIM I T, YANG S, LEE C

Electronic device for use in electronic apparatus, has two-dimensional material layer formed between channel layer and gate electrode, where material layer blocks electron transfer between gate electrode and channel layer.

SHIN K, BYUN K, LEE S, KIM C, LEE C, LI C, JIN C, SHIN K W, BYUN K E, LEESANGSOO, LEE C S

Two-dimensional material structure for use in semiconductor device, has two-dimensional material layer formed on exposed surface of insulator, and another two dimensional material layer including two dimensional materials.

SEOL M, SHIN K W, KWON J, YOO M S, LEE C S, LEE C, YOO M, SHIN K

Graphene interconnect structure useful for electronic device comprises first oxide dielectric layer including porous silicon oxide, or amorphous boron nitride, second oxide dielectric layer including aluminum oxide and graphene layer.

KIM C, BYUN K E, SHIN K W, LEE C S, BAEKWON P, PARK B, LEE C, SHIN K, BYUN K

High-strength steel plate comprises base steel plate, and ferrite layer having internal oxide layer on which iron-nickel alloy layer is formed with excellent surface quality formed in internal oxide layer from surface of ferrite layer.

LEE K, LEE C, KANG K, KIM N, JANG Y, LEE J, KANG K C, KIMNAMAH, JANG Y M

Manufacture of wiring used in electronic device, involves growing graphene layer on substrate using plasma of hydrocarbon at specific temperature by plasma enhanced chemical vapor deposition, and doping graphene layer with metal.

LEE C, LEE M, SHIN H, BYUN K, KIM K, SHIN K, SHIN K W, KIM K B, BYUN K E, SHIN H J, HYUN L, LEE C S

Layer structure for use in integrated circuit device, comprises lower layer, ion implantation layer in lower layer, and carbon-based material layer on ion implantation layer, and ion implantation layer includes carbon, and further has high electrical performance with ultra small structure.

YOO M, BYUN K, KIM S, LEE C, LEE C S, BYUN K E, YOO M S